Cursuri la Optoelectronica

Este o placă sau o peliculă de semiconductor cu două contacte ohmice. Semnalul optic este absorbit şi fotonii generează purtători de sarcină în rezultatul actelor de tranziţie „bandă-bandă” sau prin intermediul nivelelo

Основная идея архитектуры PON – использование всего одного приемопередающего модуля в OLT для передачи информации множеству абонентских устройств ONT и приема информации от них. Число абонентских узлов, подключенных к од

Fotodiodele cu barieră Schottky posedă o eficienţă înaltă şi o tehnologie simplă. Structura este următoarea: ... posedă Ǻ, posedă Ǻ, . Se utilizează semicondctorii Si, GaAs, GaP. Fotodioda Schottky funcţionează în

Curenţii de zgomot generaţi de fotodioda p-i-n se exprimă prin relaţia: , (16) - intervalul de transparenţă al frecvenţelor ( ). Aceasta este şi relaţia pentru zgomotele de alice a curentului fotodiodei. Pentr

Este cel mai răspândit fotodetector. Conţine 3 straturi semiconductoare. Straturile „p” şi „n”, de regulă, sunt puternic dopate ( ). Stratul „i” cu grosimea „d” este foarte puţin dopat şi posedă o concentraţie foarte mi

În decurs de mulţi ani microelectronica se dezvolta bazându-se pe joncţiunile p–n în materialele cu constant, deci pe baza homojoncţiunilor. Aici, elementul de bază era controlul cu impurităţile ce trebuiau introduce î

Joncţiunea p – n – este contactul ideal dintre două semiconductoare de tip „n” şi „p”. Datorită gradientului de concentraţie al purtătorilor de sarcină majoritari, va avea loc difuzia lor prin hotarul metalic al joncţiu

Fotorezistori. Caracteristici