Studierea tranzistoarelor bipolare - Electronica

Extras din document

Tranzistorul bipolar prezinta un dispozitiv semiconductor cu doua jonctiuni electron- gol (n-p), formate printr-o succesiune de trei regiuni p-n-p sau n-p-n. Aceste structure dispun de proprietati de amplificare a semnalului electric. Zona de mijloc a tranzistorului se numeste baza (B) si are urmatoarele caracteristici: este foarte ingusta (de ordinal micrometrilor sau chiar zecimilor de micrometri) si are dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale. O zona extrema cu cea mai mare concentratie de dopare cu impuritati se numeste emitor (E), cealalta zona extrema se numeste collector (C). Pe fieacare dintre aceste regiuni este realizat cite un contact ohmic, pe care se sudeaza conductoarele terminale.