Electronica - Electronica

Extras din document

Chisinau 2016 Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitor comun (EC) si determinarea parametrilor semnalelor mici „h”. Fig. 1 Schema electrica a tranzistorului in conexiune BC. Tabelul 1.1 Datele experimentale la ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului la conexiune BC. UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250 IE, mA UCB = 0 V 0.01 0.02 0.05 0.11 0.24 0.5 0.95 1.6 4 6.1 9.5 UCB = -5 V 0.01 0.02 0.05 0.14 0.28 0.55 1 1.9 5.2 7.5 12.5 Caracteristicile de intrare ale tranzistorului in conexiune BC: h_11B=(∆U_EB)/(∆I_E )=(240mV-224mV)/(8.25mA-6.8mA)=16mV/1.45mA=11.03Ω h_12B=(∆U_EB)/(∆U_CB )=0.016V/(-5V)=-0.0032